N结切分成了PIN1和PIN2（见上一节插图）， 因为PIN1与沟槽所构成的MOS串联，而IGBT关断是通过MOS沟道夹断而关断，而分析PIN1时所采用的边界条件为阴极只有，空穴电流为0，因此PIN1部分的电流随着MOS关断会迅速降低到0，对后续关断瞬态的分析影响很小。

　　而PIN2部分的电流则会通过复合缓慢衰减，是后续关断中电流的主要构成部分，因此这里我们只讨论PIN2的稳态和瞬态过程。

　　，对稳态的载流子浓度分布进行推导。考虑到关断瞬态过程中，耗尽区会逐渐扩大，基于该坐标体系的

　　部分会逐渐减小，即非耗尽区逐渐减小，不再相对中点对称，显然对称坐标体系不便于后续的梳理推导。这里我们先更换坐标体系为

　　为BJT基极与集电极之间的反偏电压。需要注意的是该等式中忽略了内建电势以及p-base的浓度影响。在导通状况下，

　　回顾《IGBT的物理结构模型》的PIN结构模型，取阳极边界条件（IGBT集电极）为电子电流

　　（1） /

　　（2） /

　　如前所述，修正图片、 图片与图片的关系关键在于要重新基于BJT结构模型来建立图片与图片的关系。

　　关系修正 /

　　之间的关系（1） /

　　存储初始值 /

　　存储变化趋势(1) /

　　存储变化趋势(3) /

　　法（因为我真的不知道还能用什么方法去做）得到了以下两个等式然后简化为：问题是我找不到线来解这个系统。是这个方法用错了吗，是不是还有简单的解答方法呢。我知道

　　【米尔-全志T113-i开发板试用】移植libmodbus库到米尔-全志T113-i开发板